李志坚

中国微电子技术、半导体器件专家。1928年5月生，浙江省宁波市人。1951年毕业于浙江大学物理系。20世纪50年代提出半导体薄膜电导的晶粒间界电子势垒模型，1960年前后开展硅材料和晶体管研究，1976年后领导和参加研制出1 K、4 K静态RAM和8位、16位微处理器等大规模集成电路，领导建成中国首条1 μm工艺线并研制出1兆位汉字RAM。曾获国家科技进步二等奖、国家发明二等奖。