砷化镓shenhuajia

化学式GaAs，黑灰色固体，熔点为1 238℃,600℃以下时能在空气中稳定存在，并且不为非氧化性酸侵蚀，是一种重要化合物半导体材料。同锗、硅相比，其禁带宽度和电子迁移率都比较大，用它制造的器件有较好的频率特性和耐高温特性，用来制造微波半导体器件，如变容二极管、金属一半导体二极管、体效应管和场效应晶体等。另外它的发光性好，光电转换效率高，因此也是制作半导体微光器的合适材料。可由镓和砷在高温和一定的砷蒸气压下合成。