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又称“耿氏效应器件”、“体效应器件”。基于Ⅲ—V族化合物半导体中电子在导带中从主能谷转移到子能谷而产生负微分迁移率而制成的实用性器件。利用它可以构成体效应管振荡器，是微波领域的重要器件。
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