非晶态半导体硅基合金薄膜特性研究

是兰州大学陈光华、张仿清、徐希翔、贺德衍、张亚非、王印月、张南屏、杨映虎承担的国家科委“六五”计划基础研究攻关项目，获1987年甘肃省科技进步一等奖。这项研究工作主要应用于辉光放电和高频溅射技术，制备了10多种新型非晶态半导体硅基合金薄膜材料如α—Si: H、α—SiC: H、α—SiN: H、α—SiSn: H及α—Ge : H薄膜，以及超晶格膜α—Si: H/α—SiC : H和α—Si: H/α—C:H等；并应用ESR、IR、XPS、UPS、EELS等手段研究了这些材料的微观结构和光电特性的关系， 在许多方面取得了重要进展，获得了有实用价值的实验结果。如在Si大功率晶体管和Si集成电路表面钝化方面取得了良好的效果，并已产生了很大的经济效益。各篇成果论文曾在国内外重要期刊上发表。