【photoengraving】
 

中文：光刻
 

【释文】：平面型晶体管和集成电路生产中的一项主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。其主要步骤如下：1．涂布光致抗蚀剂(或称光刻胶)；2．掩模板套准并曝光；3．用显影液溶去感光的光刻胶；4．用腐蚀液去除无光刻胶保护部分的二氧化硅；5．去除光刻胶。光刻工艺不仅可为定域扩散开出所需的扩散窗孔，而且也可用来制作集成电路的金属互连图案。

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