220 聚片多畴铌酸锂

冯端等1973年开始以晶体材料为对象，对线性光学晶体及激光晶体中的缺陷进行研究， 首先发现生长层诱发亚宏观位错和位错诱发电铸等现象，为阐明缺陷对铁电相变的影响提供了依据。同时利用周期性生长层制成可近似满足准位相匹配的聚片多畴铌酸锂晶体，首先实现聚片多畴的倍频增强效应，为功能材料中利用缺陷开创了新途径。此项发明获1982年国家发明二等奖。