096 黄—里斯理论

关于多声子的辐射和无照射跃迁的量子力学理论。1950年由黄昆与A·里斯共同提出。这种理论成为后来研究固体杂质缺陷光谱和半导体载流子复合的基础。同年，苏联物理学家佩卡尔也提出了类似的理论，但没有涉及无辐射跃迁的问题。所以，这种理论有时也被称为 “黄—佩卡尔理论”。